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摘 要:本发明公开了一种超薄g-C3N4覆盖的TiO2同质异形阵列薄膜及其制备方法。其特征在于,所述薄膜由超薄g-C3N4覆盖的金红石型TiO2纳米棒阵列与穗状棒束两种同质异形的TiO2纳米结构高低交错构成,所述方法以无机硫酸钛为原料,在酸性条件下,通过一步水热反应在FTO玻璃上沉积出前驱体薄膜,再经焙烧,得到金红石型TiO2同质异形阵列薄膜,再利用三聚氰胺分解产生的气体经化学气相沉积在TiO2同质异形阵列薄膜上沉积一层超薄卷曲g-C3N4。本发明所述制备方法操作简单,反应条件温和,作为光电极,在光电催化水中有机染料降解、光电催化水分解制氢领域有重要的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810569379.6 | 专利名称: | 一种超薄g-C3N4覆盖的TiO2同质异形阵列薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2018-06-05 | 申请/专利权人 | 青岛科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市崂山区松岭路99号青岛科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B01J27/24搜分类 塑料 C 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |