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| 专利/申请号： | CN201210118317.6 | 专利名称： | 叠栅SiC-MIS电容的制作方法 |
| 申请日： | 2012-04-20 | 申请/专利权人 | 无锡市唐瑞机电设备有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省无锡市惠山区洛社镇保健村 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/334分类检索 C IC专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2023-09-26 | 转让价格： | 面议 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN219746748U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种叠栅SiC-MIS电容的制作方法，主要解决SiC功率MIS器件栅泄漏电流过大、SiC和SiO2界面态密度过高以及击穿特性较差的问题。其制作过程是：对N型SiC外延片进行标准湿法清洗；通过干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜，形成底层栅介质；在ECR PE-MOCVD系统中对生长的SiO2薄膜进行N等离子体处理；利用原子层淀积ALD方法淀积Al2O3介质膜，形成顶层栅介质；电子束蒸发衬底金属形成零电极；最后剥离形成栅金属，完成器件的制作。本发明提高了SiC-MIS电容在高温高功率应用时的栅介质可靠性，可用于大规模SiC-MIS器件和电路的制作。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
