发明专利已授权

一种实现局部互连的结构及方法

📄 申请号：CN201510131865.6 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2015-03-24

公开号

CN104733433B

公开日

2019-06-25

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_528

IPC 分类号

H01L23_528 , H01L21_768 , H01L27_11521 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件集成电路互连集成电路制造工艺

应用场景

集成电路制造, 半导体器件制备, 芯片制造, 微电子技术

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摘要

本发明涉及半导体器件结构及其制造技术领域，尤其涉及一种利用控制栅实现局部互连的结构及方法。通过在Flash结构中将控制栅设置在浅沟道隔离结构的上方，利用控制栅做器件之间的局部互连，通过这些局部的互连线可以减小器件所用的层次，从而减小器件的面积，且不会造成器件串扰。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190625

✅ 授权

20150722

?? 实质审查的生效：

20150624

📄 公开

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