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摘 要:本发明涉及半导体器件结构及其制造技术领域,尤其涉及一种利用控制栅实现局部互连的结构及方法。通过在Flash结构中将控制栅设置在浅沟道隔离结构的上方,利用控制栅做器件之间的局部互连,通过这些局部的互连线可以减小器件所用的层次,从而减小器件的面积,且不会造成器件串扰。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510131865.6 | 专利名称: | 一种实现局部互连的结构及方法 |
申请日: | 2015-03-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/528搜分类 半导体结构搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |