发明专利已授权

一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法

📄 申请号：CN201410053690.7 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2014-02-17

公开号

CN103811047B

公开日

2017-01-18

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G11C11_406

IPC 分类号

G11C11_406

技术画像

所属领域

动态随机存取存储器动态随机存取存储器低功耗设计存储器刷新控制

应用场景

移动终端, 服务器, 数据中心, 嵌入式系统, 消费电子

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摘要

本发明提供了一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法，包括当所述DRAM处于繁忙状态时，所述DRAM的刷新周期为T_refresh0；当所述DRAM处于非繁忙状态时，选取所述DRAM芯片中N个块的某一保持时间T_refresh1，所述T_refresh1大于T_refresh0，在保持时间T_refresh1下，存在最差存储单元的L个块分别记作块L_0，块L_1，……，块L_L-1（0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20170118

✅ 授权

20140625

?? 实质审查的生效：

20140521

📄 公开

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