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发明专利
已授权
一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线
📄 申请号:CN201810086810.1
📄 发布日:2026/06/17
著录项目信息
申请日
2018-01-30
公开号
CN108333652B
公开日
2020-12-18
申请人
东北石油大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G02B5_00
IPC 分类号
G02B5_00
,
G02B6_10
,
G02B6_122
,
技术画像
所属领域
纳米光子学
纳米光子学
光学纳米天线
介质超表面
应用场景
光通信, 光学传感, 纳米成像, 光谱增强, 光探测
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摘要
本发明涉及一种光学纳米天线,具体涉及一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线,包括两个对称分布的十字架,十字架的材质为硅,两个十字架之间的距离D为5 nm;十字架的截面尺寸L1为200nm,L2为150 nm,W1为60nm,W2为90nm,其高度H为90 nm。这种结构会激发出不同的表面等离子体共振模式:电偶极、电四极共振和磁偶极、磁四极共振;通过多级分解的方法,分析了纳米天线中不同共振模式的响应对散射特性的影响,这些共振模式的耦合作用导致了高介电材料硅十字架二聚体结构磁热点的产生和远场单向性散射;还论证了在电、磁偶极源辐射下对纳米天线不同共振模式响应特性的影响并有一定的调制作用。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20201218
✅ 授权
20180821
?? 实质审查的生效 :
20180727
📄 公开
一种基于硅纳米球三聚体的单向性光学纳米天线结构
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