发明专利 已授权

一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法

📄 申请号:CN201310746824.9 📄 发布日:2024/02/22

著录项目信息

申请日
2013-12-30
申请人
商丘师范学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

本发明属于太阳能光伏电池技术领域,特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法;所述薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上,制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层,制备方法简单,相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法,该技术具有成本较低,对设备要求不高,反应物容易得到,制备温度较低,反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。

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