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摘 要:本发明属于太阳能光伏电池技术领域,特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法;所述薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上,制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层,制备方法简单,相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法,该技术具有成本较低,对设备要求不高,反应物容易得到,制备温度较低,反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310746824.9 | 专利名称: | 一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法 |
申请日: | 2013-12-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0236搜分类 塑料 微 阵列 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |