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摘 要:本发明公开了一种氧化镓晶片去应力退火方法,本发明将氧化镓晶片装载到辅助陶瓷工装架(1)上,再把辅助陶瓷工装架(1)置于退火用晶钵(2)内,向晶钵内填满氧化镓晶体粉末,然后采用三段式升温,保温的方法,200~300℃,保温3~5h;600~800℃,保温6~10h;1000~1200℃,保温10~20h;然后降温得到去应力的氧化镓晶片。本发明通过大量实验筛选得到最佳的加工工艺,尤其是最佳的升温温度,保温时间等,整个工艺方法设计合理,可操作性强,可有效的使氧化镓晶片研磨抛光加工前残留的应力缺陷得到均匀、充分的去除释放,大幅度降低氧化镓晶片研磨抛光后的翘曲和弯曲程度,提高氧化镓晶片加工质量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510662849.X | 专利名称: | 一种氧化镓晶片去应力退火方法 |
申请日: | 2015-10-14 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B33/02搜分类 退火搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/11/28 | 授权 | |
2016/01/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 33/02 专利申请号: 201510662849.X 申请日: 2015.10.14 |
2015/12/30 | 公开 |