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摘 要:一种基于深亚微米CMOS工艺适用于大规模像素阵列的像素结构,有由PCCT发生器、时序控制电路和阵列共用的全局计数器构成的芯片级,输入端与芯片级的输出端相连的数字像素结构,数字像素结构是由PWM工作模式的像素结构和像素级寄存器构成,芯片级中的PCCT发生器的输出电流IPCCT通过电流镜结构输入到PWM工作模式的像素结构中晶体管MCS的漏端,芯片级中的全局计数器的输出端连接所述的像素级寄存器的输入端,PWM工作模式的像素结构的输出端连接像素级寄存器的写控制端。本发明,动态范围不直接依赖电源电压、可直接输出数字值、无列FPN和读出噪声。在深亚微米CMOS工艺下,可采用低电源电压供电,具有更低的功耗并可获得高的动态范围和信噪比。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310061690.7 | 专利名称: | 基于深亚微米CMOS工艺适用于大规模像素阵列的像素结构 |
申请日: | 2013-02-27 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H04N5/374搜分类 s 计算机硬件 工艺 CMOS工艺 像素 微 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |