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摘 要:本发明公开了一种纳米阵列硫化亚铜的制备方法,包括以下步骤:在室温、搅拌的条件下,将去离子水与乙二胺溶液混合均匀,再浸入铜棒,超声20分钟后再加入硫脲溶液和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),密闭放置6-24小时;清洗,室温干燥即可。本发明与现有技术相比,利用湿化学法,在常温下一步反应即可制得硫化亚铜纳米阵列。所制得的硫化亚铜纳米阵列的厚度为5?nm-100?nm。原材料廉价易得,操作简便,产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性非常好,可达95%以上。且制得的铜-硫化亚铜异质结构可以作为传感器电极,直接用于物质(如葡萄糖)的检测。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210243272.5 | 专利名称: | 一种纳米阵列硫化亚铜的制备方法 |
申请日: | 2012-07-13 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 专利失效 查询审查信息 | 分类号: | C01G3/12搜分类 纳米材料 阵列 硫化搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |