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摘 要:本发明提供了一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料、制备方法及其应用,以纳米带状的三氧化钼为前驱体,用硫和硒同时在其表面刻蚀而形成外延生长的分级结构的多孔片状的MoS2(1‑x)Se2x的纳米复合材料,且在保证分级结构的完整性的前提下调整硫和硒的比例制备出不同比例的分级结构的MoS2(1‑x)Se2x纳米复合材料,从而优化材料的电化学性能。与现有技术相比,本发明制备的产物兼容性高且形貌可控,此复合材料具有很好的兼容性,很高的导电性、大比表面积和结构稳定性,生产成本低,重现性好,在储能方面具有很大潜在的应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810493511.X | 专利名称: | 一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料、制备方法及其应用 |
申请日: | 2018-05-22 | 申请/专利权人 | 安徽师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/36搜分类 复合材料 纳米复合材料 生长搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/10/01 | 授权 | |
2018/11/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01M 4/36 专利申请号: 201810493511.X 申请日: 2018.05.22 |