发明专利 已授权

一种铁电薄膜BiFeO3@SnS2复合光电极的制备方法

📄 申请号:CN202310157405.5 📄 发布日:2026/10/28

著录项目信息

申请日
2023-02-23
公开号
CN116180137A
公开日
2023-05-30
申请人
淮阴工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光电催化, 太阳能制氢, 光电化学水分解, 有机污染物降解, 光电探测

摘要

本发明涉及纳米复合材料合成技术领域,公开了一种铁电薄膜BiFeO3@SnS2复合光电极的制备方法,其步骤包括:步骤一、溶胶‑凝胶法配制BiFeO3前驱液;步骤二、旋涂法制备BiFeO3光电极薄膜;步骤三、水热法原位生长SnS2材料,制备BiFeO3@SnS2复合光电极。本发明以结合溶胶凝胶法以及旋涂法制备的铁电材料BiFeO3薄膜光电极为基础,通过水热法生长二维硫化物二硫化锡(SnS2),从而制备出BiFeO3@SnS2复合光电极,不仅能够保证对光的利用效率,而且能够促进光生载流子的分离和传输。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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