发明专利已授权

一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法

📄 申请号：CN201711128867.5 📄 发布日：2026/08/11

著录项目信息

申请日

2017-11-15

公开号

CN107814408A

公开日

2018-03-20

申请人

龙岩学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G19_00

IPC 分类号

C01G19_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料二维材料过渡金属硫化物

应用场景

光催化, 能源存储, 气体传感器

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摘要

本发明公开一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法，以SnCl4·5H2O和L-半胱氨酸为主要原料，将反应原料溶解在30 ml乙二醇中，搅拌60 min，然后转移到70 ml聚四氟乙烯内衬，用钢套拧紧，经一步水热合成得到富含S空缺位的SnS2超薄纳米片。该SnS2超薄纳米片具有丰富的S空缺位，并且S空穴位的存在显著地调节了SnS2的能带结构、提高了其光吸收效率和载流子分离效率。本发明工艺简单，制备周期短，环保绿色，选择性高，能耗低，符合实际生产需要，具有较大的应用潜力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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