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发明专利
已授权
基于离子印迹聚合物修饰电极的钴离子检测方法
📄 申请号:CN202511842560.6
📄 发布日:2026/08/11
著录项目信息
申请日
2025-12-09
公开号
CN121933598A
公开日
2026-04-28
申请人
龙岩学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01N27_30
IPC 分类号
G01N27_30
,
C08G73_02
,
G01N27_48
,
C25B3_09
,
C25B3_20
,
技术画像
所属领域
离子印迹材料
离子印迹材料
电化学传感器
分析检测技术
应用场景
水质检测, 环境监测, 工业废水检测, 痕量金属分析, 电化学传感
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摘要
本发明涉及电化学分析技术领域,公开了基于离子印迹聚合物修饰电极的钴离子检测方法,该方法包括以下步骤:构建微流控系统,通过前驱体溶液动态流经电极进行电化学聚合,实现修饰层均匀生长和Co2+动态包埋;随后,施加脉冲电位高效洗脱Co2+;最后,重结合待测Co2+后电化学检测。本发明通过上述方案,实现印迹位点均匀分布、模板剂快速高效洗脱,显著提升了钴离子检测性能、重现性及制备效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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