发明专利已授权

一种原位缺陷修饰Co9S8/多孔氮掺杂碳电极的制备方法

📄 申请号：CN201910983997.X 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2019-10-16

公开号

CN110690469B

公开日

2022-09-16

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_96

IPC 分类号

H01M4_96 , H01M4_88 , H01M12_06 ,

技术画像

所属领域

电催化材料电催化材料多孔碳材料过渡金属硫化物

应用场景

电解水制氢, 燃料电池, 金属空气电池, 储能系统

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摘要

本发明提供一种原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，将钴盐、Tx‑100和苯胺等含碳有机物溶于挥发非水溶剂，并加入硫脲作为硫源，获得Co‑C‑S前躯液；上述前躯液涂布到碳基底上，干燥后先在Ar或N2气流中退火得到原位硫化钴‑碳电极，然后将原位硫化钴电极继续在双氰胺气流下CVD煅烧退火，最终形成原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极。本发明技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等多个优点，可用于OER和ORR的多功能电催化剂。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220916

✅ 授权

20200211

?? 实质审查的生效：

20200114

📄 公开

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