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发明专利
已授权
一种基于Chiplet双层堆叠封装结构的芯片
📄 申请号:CN202211183529.2
📄 发布日:2026/08/10
著录项目信息
申请日
2022-09-27
公开号
CN115662979B
公开日
2026-05-22
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H10W90_20
IPC 分类号
H10W90_20
,
H10D80_20
,
H10W20_43
,
H10W20_40
,
H10W40_25
,
H10W40_22
,
H10W70_60
,
技术画像
所属领域
其他分类
其他
应用场景
高性能计算, 数据中心, 人工智能芯片, 消费电子, 5G通信
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摘要
本发明公开了一种基于Chiplet双层堆叠封装结构的芯片,包括导热材料层、上interposer连接层、中央处理器模块、功能模块、下interposer连接层、封装基板和封装外壳;下interposer连接层通过连接焊球与封装基板连接;封装基板外侧通过连接焊球实现与外部电路连接;同层芯粒之间通过interposer连接层中分布的EMIB互联桥实现互联;两interposer连接层分别设置于芯片的上下两侧分别用于实现上层芯粒之间和下层芯粒之间的互联;两堆叠的Chiplet芯粒之间通过TSV通孔与垂直互联层实现互联。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种基于微弱信号的ADC通道延迟标定方法、系统及设备
当前第 / 件
一种全球平均海杂波近实时估计方法、系统、设备及存储介质
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