发明专利已授权

一种Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202510249166.5 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2025-03-04

公开号

CN120288847B

公开日

2026-06-02

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N27_12

IPC 分类号

G01N27_12 , C01G53_80 , C01G30_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

传感材料纳米材料半导体气敏材料气体传感器传感材料

应用场景

室内空气质量监测, 甲醛检测, 环境监测, 工业安全, 智能家居

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摘要

本发明公开了一种Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料及其制备方法和应用，传感材料的制备方法包括以下步骤：步骤一、配置Sn盐‑Ni盐溶液；步骤二、利用超临界水热合成（CSHS）反应装置，使Sn盐‑Ni盐溶液与超临界水接触反应，并结晶析出生成纳米掺杂氧化物，反应液排出收集后冷却，将结晶物分离出来，即得所述Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料。本发明方法制备得到的Ni掺杂纳米SnO2半导体HCHO传感材料结构一致性好，传感性能优异。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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