发明专利 已授权

N+离子修饰的α-PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用

📄 申请号:CN202411216118.8 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2024-09-02
公开号
CN119177467B
公开日
2025-10-10
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

氢能储运, 燃料电池, 化学合成, 电催化制氢, 新能源材料

摘要

本发明公开了N+离子修饰的α‑PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用,所述多孔电极的制备过程是:β‑PbO粉末先球磨,然后用含N阳离子表面活性剂溶液搅拌,在α‑PbO表面形成N+修饰,与偏硼酸钠、导电粉和石蜡混合、研磨,压片,包埋于氧化铝中烧结,即制备完成。本发明在α‑PbO表面形成N+修饰,能够改善催化电极表面的双电层结构,促进反应物B(OH)4‑在阴极的传质;同时改性催化剂表面易形成Pb‑N‑O键,对‑OH的吸附作用增强,有助于反应物在催化剂表面的活化。本发明的N+离子修饰的α‑PbO多孔电极用于固相电解合成硼氢化钠具有高效的性能,在碱性偏硼酸钠溶液中电还原合成硼氢化钠的电流效率可达67.6%以上。

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图2
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