发明专利已授权

一种原子磁光阱芯片及加工方法

📄 申请号：CN202110943466.5 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-08-17

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G21K1_00

IPC 分类号

G21K1_00 , G21K1_093 , B81C1_00 ,

技术画像

所属领域

原子芯片原子芯片磁光阱技术微纳加工

应用场景

量子计算, 量子精密测量, 原子钟, 量子传感, 基础物理实验

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摘要

本发明公开了一种原子磁光阱芯片及加工方法。本发明包括硅晶片和三维磁场线圈，硅晶片顶面中心向下开设的球缺形凹槽，形成反射腔。三维磁场线圈包括嵌在硅晶片顶面的上磁场线圈组和嵌在硅晶片底面的下磁场线圈组；上磁场线圈组包括四个均布在反射腔周围的椭圆形金属环，椭圆形金属环相对反射腔的远端具有开口，形成四个对称布置的开放式椭圆形金属线圈；下磁场线圈组包括两个与反射腔同心的金属圆环，其中内环的投影在四个椭圆形金属环的最小围合空间范围内，内、外金属圆环在同一角度具有开口，形成两个同心布置的开放式圆形金属线圈。本发明在结构上具有光学反射效率高，集成度好，加工简单及使用方便稳定性好的特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

利用可见光诱导接枝对均孔膜进行孔径调控和改性的方法

当前第 / 件

金属-复合材料等界面温度接头焊接装置及焊接方法

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