发明专利已授权

一种高活性缺陷型Bi2MoO6纳米带及其制备与应用

📄 申请号：CN202011538487.0 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2020-12-23

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G39_00

IPC 分类号

C01G39_00 , B82Y40_00 , B01J23_31 , B01J35_00 , B01J35_10 , C02F1_30 , C02F101_30 , C02F103_30 , C02F103_34 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料光催化材料钼酸铋基材料

应用场景

光催化, 环境净化, 能源转化, 污染物降解

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摘要

本发明提供了一种高活性缺陷型钼酸铋纳米带及其制备与应用。本发明方法通过油胺水热法和随后的多次热处理去除晶面剩余的油胺络合物，可以调控制备出具有表面缺陷的Bi2MoO6，通过缺陷的生成，可以抑制光生载流子的复合，提高光催化活性。本发明的有益效果主要体现在：①本发明制备工艺简单、使用设备种类少，适合工业化生产；②制得的钼酸铋样品具有特殊的纳米带状形貌；③制得的钼酸铋样品具有纳米缺陷结构；④制得的钼酸铋样品光催化性能优异、光催化活性高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240719

⏳ 开放许可声明：

20220708

✅ 授权

20210528

?? 实质审查的生效：

20210511

📄 公开

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