发明专利已授权

一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法

📄 申请号：CN202110967195.7 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2021-08-23

公开号

CN113699523B

公开日

2023-12-12

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C26_00

IPC 分类号

C23C26_00 , A61L27_06 , A61L27_30 , A61L27_54 , A61L31_02 , A61L31_08 , A61L31_16 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料表面改性量子点制备

应用场景

医疗器械, 骨科植入物, 牙科种植体, 心血管支架, 生物医用材料

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摘要

本发明公开了一种植入体表面原位生长二氧化钛量子点的方法，包括以下步骤：1）配制反应前驱液，反应前驱液由钛源、双氧水和酸在溶剂水中均匀混合而获得；2）将植入体基体清洗后和步骤1）的反应前驱液同时放入不锈钢高压反应釜中，将不锈钢高压反应釜封闭后置于电热鼓风干燥箱中进行水热反应，使基体表面原位生长二氧化钛量子点；反应结束后冷却，然后将反应后的样品取出，在去离子水中超声清洗后，在常温下晾干，即制备完成。本发明通过水热法在低温下获得均匀分布的二氧化钛量子点，反应在液相中一次形成、无需后续处理，反应重复性好，处理之后对基体本身的粗糙度没有影响。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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