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一种FePt-MgO磁记录薄膜及其制备方法

Name: 一种FePt-MgO磁记录薄膜及其制备方法
Brand: 西南大学
SKU: 2018101234601
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810123460.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2018-02-07

公开号

CN110120232A

公开日

2019-08-13

申请人

西南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G11B5_851

IPC 分类号

G11B5_851

技术画像

所属领域

磁记录薄膜磁记录材料磁性薄膜薄膜制备技术磁记录薄膜

应用场景

数据存储, 磁记录器件, 硬盘驱动器, 高密度磁存储

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摘要

本发明公开了一种FePt-MgO磁记录薄膜及其制备方法，包括基片、沉积于所述基片上的垫层和沉积于所述垫层上的磁性层，所述基片为Si基片，所述垫层为MgO垫层，所述磁性层包括MgO嵌裹层和嵌裹于所述MgO嵌裹层中的FePt纳米台阵列，FePt纳米台一端固定在MgO垫层上，另一端伸出MgO嵌裹层。其矫顽力较大，磁稳定性好，能够提高存储密度，减小器件尺寸。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110120232A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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