发明专利 已授权

ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法

📄 申请号:CN201510383734.7 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2015-07-03
公开号
CN105021655B
公开日
2017-08-22
申请人
西安工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

环境监测, 工业气体安全检测, 智能家居, 可穿戴设备, 医疗呼气诊断

摘要

本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应‑恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜;然后在还原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生长单晶ZnO纳米墙;最后将构筑好的ZnO纳米墙/RGO异质结在Ar气氛下高温热处理,获得ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。本发明的ZnO纳米墙/RGO异质结,ZnO纳米墙原位生长在RGO薄膜上,实现了共价键或化学键强作用力连接,既可以发挥ZnO纳米墙在高灵敏度检测方面独特的优势,又可以利用石墨烯做为端电极提高电子传输速率。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20170822
✅ 授权
20151202
?? 实质审查的生效 :
20151104
📄 公开

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