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发明专利
已授权
一种含氧空位缺陷的SnO
2
-石墨烯纳米复合材料及在常温钠离子电池负极的应用
📄 申请号:CN201810175614.1
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-03-02
公开号
CN108630911B
公开日
2020-05-26
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01M4_36
IPC 分类号
H01M4_36
,
H01M4_48
,
H01M4_587
,
H01M10_054
,
B82Y30_00
,
技术画像
所属领域
钠离子电池
钠离子电池
电池负极材料
纳米复合材料
应用场景
储能系统, 新能源汽车, 智能电网, 电动交通工具
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摘要
本发明公开一种含氧空位缺陷的SnO2-石墨烯纳米复合材料及在常温钠离子电池负极的应用。本发明采用水热法首先制备SnO2-石墨烯纳米复合材料,然后再通过在弱还原气氛中回火的方式,向SnO2纳米晶中引入氧空位缺陷。采用该方法制得的含氧空位缺陷SnO2-石墨烯纳米复合材料当用于钠离子电池负极时,表现出极为优秀的倍率性能和循环稳定性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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