发明专利已授权

一种基于标准IC工艺的铁氧体薄膜变压器

📄 申请号：CN202010126030.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-02-27

公开号

CN111276322B

公开日

2020-12-29

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01F27_28

IPC 分类号

H01F27_28 , H01F27_32 , H01F27_24 ,

技术画像

所属领域

薄膜变压器薄膜变压器铁氧体薄膜集成电路工艺

应用场景

片上电源, 电源转换, 信号隔离, 消费电子, 通信设备

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摘要

本发明公开了一种基于标准IC工艺的铁氧体薄膜变压器，包括高阻硅基片(1)上依次覆有第一绝缘层(2)、金属初级线圈连接线层(3)、第二绝缘层(4)、金属初级线圈绕组层(5)、铁氧体磁芯薄膜层(6)、金属次级线圈绕组层(7)、第三绝缘层(8)、金属次级线圈连接线层(9)、第四绝缘层(10)；所述的金属初级线圈和金属次级线圈为半圆形形状，并且初次级线圈上下重合。本发明通过使用高阻硅基片(1)和第一绝缘层(2)，减少衬底涡流损耗；使用具有较高电导率的金属铜作为导电线圈材料，可减少金属损耗；使用YIG铁氧体薄膜作为磁芯，可以增强电感值和品质因数，同时YIG铁氧体磁芯的使用可以减少版图面积；采用标准IC工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产的优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

基于归一化灰度霍夫变换和局部CFAR的尾迹检测方法

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