发明专利已授权

一种基于F-P干涉原理的芯片封装静电测量传感器

Name: 一种基于F-P干涉原理的芯片封装静电测量传感器
Brand: 西安理工大学
SKU: 2021104706362
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110470636.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-28

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R29_12

IPC 分类号

G01R29_12

技术画像

所属领域

静电测量光学传感器干涉测量静电检测静电测量

应用场景

芯片封装, 半导体制造, 静电检测, 工业测量

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摘要

本发明公开了一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，包括电容扫描探头，光纤电场传感器，光纤传感器解调仪，计算机；本发明使用尺寸为0.4×0.2mm的贴片电容(0.1pF)进行芯片表面电荷的感应，从而构成电容扫描探头，能够有效的扫描芯片表面不同的位置，得到芯片表面的静电分布；敏感器件采用压电陶瓷片，结合光学测量技术能实现对电场测量的精准性和快速性，同时光纤与陶瓷插针和连接使用可以更好的保证光信号的传输。本发明装置具有结构简单、测量精度高、使用稳定性好、抗干扰能力强等优点，可广泛应用于芯片制造和科研领域。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230124

✅ 授权

20210907

?? 实质审查的生效：

20210820

📄 公开

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