发明专利已授权

基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器

Name: 基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2021115758271
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111575827.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-22

公开号

CN114235849B

公开日

2023-08-01

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N22_00

IPC 分类号

G01N22_00 , G01N27_22 , B01L3_00 ,

技术画像

所属领域

微流控传感器微流控传感器微波/射频器件缺陷地结构

应用场景

生物医学检测, 化学分析, 微流体参数测量, 即时诊断, 环境监测

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摘要

本发明公开了基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器，为双端口器件；具有顶层、中间层及底层；顶层包括一条微带线、两个50欧姆的电阻元件及两个SMA连接头，微带线有两个缺口处，缺口处均由50欧姆电阻元件焊接，微带线具有一个输入端口与一个输出端口，输入端口与输出端口均与微带线连接，且输入端口与输出端口分别用于连接SMA连接头，SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；中间层是介质板；底层包括改进缺陷地结构，改进缺陷地结构包括螺旋线与DGS结构，螺旋线与DGS结构边缘之间有一个正方形环，在DGS结构中间有一个螺旋线结构，螺旋线结构上面置有一个内部形成有微流体通道的PDMS。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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