摘要
一种快速诱导聚偏氟乙烯薄膜发生α到γ相变的方法,以N,N‑二甲基甲酰胺为溶剂,配制质量浓度为3%‑10%的PVDF溶液,然后将制备的溶液均匀刮涂至干燥洁净的玻璃片或硅片基底上,并在60‑100℃干燥6‑24h以使溶剂完全去除,制得PVDF薄膜,经190‑210℃消除热历史后,在30℃至160℃的温度下成核为α相晶核,经离子液体浸泡后,在140‑170℃快速相变为γ′相晶体,得到了高γ′含量的PVDF薄膜,γ′相含量高达92%;由于采用先结晶后快速退火的方法,使得γ‑PVDF的生成速度大大提高,从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜;制备工艺简单、操作方便、且可连续化生产,性能优异、耐高温、耐化学腐蚀、具有较强的铁电和压电性能,可应用于传感器、电容器和耐高温储能元件与热敏性材料。