发明专利已授权

一种MEMS三维隧道结构

📄 申请号：CN201711500197.5 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2017-12-26

公开号

CN108163803A

公开日

2018-06-15

申请人

中国计量大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B81C1_00

IPC 分类号

B81C1_00

技术画像

所属领域

微机电系统微机电系统微纳加工微结构

应用场景

微传感器, 消费电子, 汽车电子, 医疗器械, 工业自动化

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摘要

本发明公开一种MEMS三维隧道结构，包括硅基底，二氧化硅氧化层和隧道结构层，所述二氧化硅氧化层在硅基底表面上，所述隧道结构层在二氧化硅氧化层上方，所述隧道结构层是由三块矩形二氧化硅薄膜组成。本发明还公开了一种MEMS三维隧道结构的制备方法。本发明的MEMS三维隧道结构制作简单，成本低廉，可用于制作微流体管道，其硅基底可使用普通的(100)硅片，便于优化器件性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种显示亮度调节的方法及显示终端

当前第 / 件

一种粉煤灰漂珠负载的锂离子筛片及其制备方法

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