发明专利已授权

一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法

📄 申请号：CN202010259647.1 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2020-04-03

公开号

CN111490256B

公开日

2022-07-15

申请人

深圳万知达企业管理有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_86

IPC 分类号

H01M4_86 , H01M4_88 , H01M4_90 , H01M12_06 ,

技术画像

所属领域

电极材料电极材料电催化材料过渡金属硫化物

应用场景

电解水制氢, 燃料电池, 超级电容器, 储能电池, 金属空气电池

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摘要

本发明提供了一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法。利用化学浴沉积辅助干燥或预氧化或预硫化获得钴基前驱物阵列结构，随后在钴基前驱物表面生长一层聚多巴胺再吸附钼离子，最后于硫气氛下退火反应。在退火过程中聚多巴胺逐步转变为氮掺杂的碳材料，钴基前驱物与硫蒸气反应成为硫化钴。同时，钼离子由于被聚多巴胺中的氮配位吸附而分散，且位于聚多巴胺表面而与钴元素隔离，硫化过程形成晶态程度高的二硫化钼和硫化钴/二硫化钼接触型结构，进而形成钼掺杂硫化钴/氮碳结构。本发明的技术方案硫化钴/氮碳界面形成的Co‑N‑C键型结构具有良好的ORR及OER性能；此外，钼掺杂硫化钴形成的Co‑O‑Mo和钼掺杂氮碳形成的Mo‑N也分别为OER和ORR高活性中心。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240913

?? 专利权的转移：

20220715

✅ 授权

20200828

?? 实质审查的生效：

20200804

📄 公开

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