发明专利已授权

一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法

📄 申请号：CN202110564032.4 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-05-24

公开号

CN113387323B

公开日

2024-04-05

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B81C1_00

IPC 分类号

B81C1_00 , B81B1_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料制备纳米材料制备电场诱导成形金属间化合物纳米结构

应用场景

场发射器件, 纳米传感器, 催化材料, 表面增强拉曼散射, 微纳电子器件

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摘要

本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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