发明专利已授权

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器

📄 申请号：CN202110594624.0 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2021-05-28

公开号

CN113284542B

公开日

2025-02-18

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G11C19_08

IPC 分类号

G11C19_08

技术画像

所属领域

磁性存储磁性存储自旋电子学拓扑磁结构

应用场景

数据存储, 磁性存储器, 自旋电子器件

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摘要

本发明涉及一种拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器、读写系统和赛道存储器，一种拓扑磁结构包括：衬底层；缓冲层，设置于衬底层上，缓冲层的表面粗糙度小于衬底层的表面粗糙度；磁性层，设置于缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；保护层，设置于磁性层上，用于保护磁性层。基于亚铁磁材料的器件具有对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势，因此在超高密度信息存储和太赫兹(Tera Hertz，THz)等领域有广阔的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种气凝胶固定化的微生物保藏方法

当前第 / 件

一种白蛋白肽的一体化生产系统

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