本发明公开了基于磁性隧道结的非易失可编程储能元件阵列管理系统，本发明微控制器电路连接MTJ读电路和MTJ写电路；MTJ读电路和MTJ写电路连接MTJ阵列；MTJ读电路连接开关阵列中每个开关元件的控制端；开关阵列连接储能元件阵列以及系统的充电端和系统的放电端；系统的放电端和储能元件阵列连接模拟数字转换电路的输入端；模拟数字转换电路的输出端连接微控制器电路。本发明具有能源输出形式多样、抗辐射能力强、数据可靠性高等显著优势，并具有将能量存储与能量管理一体化集成的潜力，可大大降低目前能源系统的复杂性和所占空间，具有重要的应用价值。
📄 2019111080267
📂 G11C19_08
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-11-13
本发明涉及一种拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器、读写系统和赛道存储器，一种拓扑磁结构包括：衬底层；缓冲层，设置于衬底层上，缓冲层的表面粗糙度小于衬底层的表面粗糙度；磁性层，设置于缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；保护层，设置于磁性层上，用于保护磁性层。基于亚铁磁材料的器件具有对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势，因此在超高密度信息存储和太赫兹(Tera Hertz，THz)等领域有广阔的应用前景。
📄 2021105946240
📂 G11C19_08
👤 华南师范大学
📅 2021-05-28
柿子坊 · 知识产权运营
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