发明专利 已授权

可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法

📄 申请号:CN202010357705.4 📄 发布日:2026/09/28

著录项目信息

申请日
2020-04-29
公开号
CN111431430B
公开日
2024-11-26
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

电机驱动, 新能源发电, 储能系统, 充电设施, 工业电源

摘要

本发明公开了可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法,在将传统IGBT功率模块内IGBT芯片分成阵列的同时给每个芯片的二极管支路增加了一个电子开关,电子开关可以选用MOSFET。增加的电子开关使得在二极管导通和关断也可控,在二极管支路续流过程中通过对各个二极管支路的分别控制使得其承受的电流应力变得平滑,减小了由于电应力波动对二极管造成的冲击和损耗,增加了功率模块的使用寿命,进一步提高了功率模块自由度和应用灵活性。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN111431430B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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