发明专利已授权

一种棱柱状硫化镍阵列薄膜材料的原位制备方法

📄 申请号：CN201810085248.0 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2018-01-29

公开号

CN108315730A

公开日

2018-07-24

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C22_60

IPC 分类号

C23C22_60

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料薄膜材料电极材料

应用场景

超级电容器, 电化学储能, 电催化, 电解水制氢, 电化学传感器

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摘要

一种棱柱状硫化镍阵列薄膜材料的原位制备方法，其主要步骤包括：首先，将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；然后配制碱性电解液，主要原料为金属碱化合物，辅助原料碱金属硫化物；其次，将电解液放入反应釜中，同时将干净的镍基体浸入电解液中，将反应釜置于马弗炉中在120-250℃进行水热反应10-50小时，使得金属镍表面发生硫化原位生长反应；最后，将水热后的镍基体取出、清洗干净并干燥，即可获得棱柱状硫化镍阵列薄膜材料。本发明制备方法简单、原材料廉价、易于操作、生产价格低，所制备的薄膜材料厚度可控、活性高，适合工业化大生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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