发明专利 已授权

一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法

📄 申请号:CN202310018251.1 📄 发布日:2026/08/13

著录项目信息

申请日
2023-01-06
公开号
CN115772181B
公开日
2024-08-16
申请人
锦轩科技服务(绍兴)有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

高密度信息存储, 量子计算, 分子自旋电子器件, 磁性材料研发

摘要

本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法。一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料,化学式为[Dy2(HL)2]·2CH3OH·CH3CN,其中HL为失去三个质子的2,9‑二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料晶体属于三斜晶系,P‑1空间群,晶胞参数为a=12.3932(6)Å,b=15.0551(10)Å,c=15.5316(10)Å,α=91.075(3)°,β=100.739(2)°,γ=111.8726(19)°,V=2629.8(3)Å3。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料具有单分子磁体特性,且制备方法简单、方便,产率高,重现性好,成本低,有望用于新型的磁存储材料。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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