发明专利已授权

一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法

📄 申请号：CN202110622202.X 📄 发布日：2026/08/05

著录项目信息

申请日

2021-06-03

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08J7_00

IPC 分类号

C08J7_00 , C08J5_18 , C08L27_16 ,

技术画像

所属领域

高分子材料高分子材料薄膜制备聚合物加工

应用场景

压电器件, 铁电器件, 传感器, 储能电容器, 柔性电子

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摘要

一种快速制备γ相聚偏氟乙烯薄膜的方法，以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制质量浓度为3％‑8％聚偏氟乙烯(PVDF)溶液，采用溶液浇注法制备PVDF固化薄膜，在140‑160℃的温度下PVDF快速成核为α相晶核，并在165‑170℃快速相变为γ相晶核，从而提高了PVDFγ相的成核能力，γ相含量能够达到80％；并且由于成核数量增加，从而加快了生长速率；相较于传统的熔融结晶的方法，本方法大大提高了γ相的成核能力并加快了γ相的生长速度，从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜；制备工艺简单、操作方便、且性能优异，耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强，在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221202

✅ 授权

20210831

?? 实质审查的生效：

20210813

📄 公开

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