发明专利已授权

一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体

📄 申请号：CN202011222874.3 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2020-11-05

公开号

CN112684524B

公开日

2022-07-01

申请人

新乡医学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B5_00

IPC 分类号

G02B5_00

技术画像

所属领域

光学超表面光学超表面纳米光子学偏振光学

应用场景

光谱分析, 光学滤波, 光电传感, 红外探测, 热辐射调控

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摘要

本发明的目的是提供一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体，提供更高的灵敏度和综合反应灵敏度的品质因子，包括红外石墨烯基窄带吸收单元，红外石墨烯基窄带吸收单元包括从上到下位的电介质层、缓冲电介质层、石墨烯薄膜、高折射率纳米腔超表面、金属基底，所述高折射率纳米腔超表面的上端面向下开设有孔，孔中填充与电介质层相同的电介质，由于该结构的反射谱宽度0.5 nm，谐振位置吸收率高达97%，所以该结构有助于设计高灵敏度折射率传感器，其中，顶部电介质层作为第一个通道，高折射率纳米腔超表面的纳米深孔阵列作为第二个通道，结果表明该传感器的灵敏度可达500 nm/RIU，综合反应灵敏度的品质因子高达1000/RIU，优于现有技术。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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