发明专利已授权

一种钝化硅表面缺陷的方法

Name: 一种钝化硅表面缺陷的方法
Brand: 江苏大学
SKU: 202310011940X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310011940.X 📄 发布日：2026/03/31

著录项目信息

申请日

2023-01-05

公开号

CN115881852B

公开日

2025-10-10

申请人

江苏大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F71_00

IPC 分类号

H10F71_00 , H10F77_30 ,

技术画像

所属领域

半导体工艺半导体工艺表面钝化硅基半导体器件

应用场景

太阳能电池, 集成电路制造, 半导体器件, 功率器件, 光电器件

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摘要

本发明提供了一种钝化硅表面缺陷的方法，属于信息技术和太阳能电池领域；本发明利用铁电薄膜表面的极化电荷在硅表面可控产生一定强度大小的表面电场，进而高效且可控地钝化硅表面缺陷；本发明利用HfO2铁电薄膜钝化硅表面缺陷，在高效钝化硅表面缺陷的同时，不会阻碍载流子在硅基异质结器件中的传输；所述钝化硅表面缺陷的方法能够将硅表面载流子寿命提高近1.8倍，具有很强的工业实用性。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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