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发明专利
已授权
一种高分散性ITO粉体的制备方法
📄 申请号:CN201710262344.3
📄 发布日:2026/08/10
著录项目信息
申请日
2017-04-20
公开号
CN107098378B
公开日
2019-11-19
申请人
安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C01G19_02
IPC 分类号
C01G19_02
,
C01G15_00
,
技术画像
所属领域
纳米材料
纳米材料
透明导电材料
粉体制备技术
应用场景
显示器件, 触摸屏, 太阳能电池, 透明电极, 电子器件
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摘要
本发明公开一种高分散性ITO粉体的制备方法,属于氧化铟锡复合粉体制备技术领域,包括以下步骤:称取金属In加入到HNO3溶液中完全溶解,按照In2O3/SnO2质量比为9:1,称取SnCl4·5H2O白色晶体加入到铟盐溶液中,搅拌均匀制备混合盐溶液;取NH4AC缓冲溶液,在缓冲溶液中加入复合分散剂;氨水和混合盐溶液同时滴加入缓冲溶液中,生成铟锡氢氧化物前驱体;反应完全后,陈化,抽滤,将得到的铟锡氢氧化物前驱体分别用水和有机溶剂洗涤;将洗涤后的铟锡氢氧化物前驱体在室温下放置,自然晾干;在高温下煅烧4h,得到黄色ITO粉末。采用本发明制备方法制成的ITO粉体硬团聚少、流动性好、易于压制成型。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20191119
✅ 授权
20170922
?? 实质审查的生效 :
20170829
📄 公开
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委托待转让
📌 交易状态:
在售
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