实用新型 已授权

一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置

📄 申请号:CN202320776929.8 📄 发布日:2026/10/06

著录项目信息

申请日
2023-04-11
公开号
CN219244279U
公开日
2023-06-23
申请人
德兴市意发功率半导体有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

半导体晶圆氧化, 集成电路制造, 晶圆热处理, 芯片制造

摘要

本实用新型公开了一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置,其包括:布气管、进气管接头和布气罩,所述进气管接头设置在水平放置的布气管上,所述布气罩设置在布气管的下方,并沿布气管的长度方向延伸,所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板,所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板,所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽,所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板,所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙,所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。本实用新型所述的半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置,可以通过布气槽喷出气幕,提升了布气均匀性。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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