发明专利 已授权

一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法

📄 申请号:CN201710024218.4 📄 发布日:2026/04/02

著录项目信息

申请日
2017-01-13
公开号
CN106747640B
公开日
2019-10-25
申请人
武汉塑之源科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

高温气体过滤, 催化剂载体, 隔热材料, 热交换器, 航天热防护

摘要

本发明涉及一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法。其技术方案是:以40~70wt%的碳化硅粉、15~35wt%的硅粉、1~5wt%的催化剂和10~20wt%的氮源为原料,外加原料20~30wt%的去离子水,搅拌,得到陶瓷浆料;向陶瓷浆料加入原料10~20wt%的发泡剂制成的泡沫,持续搅拌30~60min,得到陶瓷泡沫浆料;将陶瓷泡沫浆料倒入模具中,于氮气环境中静置,干燥,脱模,得到陶瓷坯体;将陶瓷坯体在氮气气氛下,升温至1100~1150℃,保温;再升温至1200~1600℃,保温;自然冷却,即得氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料。本发明工艺简单、成本低廉、原料利用率高和过程易于控制,所制制品气孔大小均一、气孔分布均匀和机械强度高。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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