发明专利已授权

一种基于拓扑谷边界态的高效电磁波导

Name: 一种基于拓扑谷边界态的高效电磁波导
Brand: 电子科技大学
SKU: 2023102618027
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310261802.7 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2023-03-17

公开号

CN116247405B

公开日

2024-04-12

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01P3_08

IPC 分类号

H01P3_08

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光通信, 微波通信, 集成光学, 电磁波传输, 光电器件

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摘要

本发明公开了一种基于拓扑谷边界态的高效电磁波导，属于拓扑光子晶体技术领域。本发明所述高效电磁波导包括上金属薄膜层、下金属层和介质基板，上层金属薄膜层位于介质基板的上表面；上金属薄膜层沿x方向包括依次连接的第一渐变过渡段、基片集成拓扑波导段和第二渐变过渡段；下金属层满覆介质基板的下表面。本发明所述高效电磁波导为基片集成拓扑波导结构，无孔或柱结构，与标准基片集成波导电路完美兼容；通过引入带有锥形渐变部分的微带传输线和三角形过渡结构实现传统导波与拓扑边界波之间的高效耦合与转换，最终实现电磁信号沿波导系统低损耗、高效传输。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240412

✅ 授权

20230630

?? 实质审查的生效：

20230609

📄 公开

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