发明专利已授权

一种新型磁性薄层印迹膜的制备方法及用途

📄 申请号：CN202010056878.2 📄 发布日：2026/04/09

著录项目信息

申请日

2020-01-17

公开号

CN111171233B

公开日

2023-03-31

申请人

吉林师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08F222_14

IPC 分类号

C08F222_14 , C08F220_56 , C08K3_22 , C08J9_26 , C08J5_18 , C08L35_02 , C08L27_16 , B01J20_26 , B01J20_28 , B01J20_30 ,

技术画像

所属领域

分子印迹材料分子印迹材料功能高分子膜磁性复合材料

应用场景

样品前处理, 环境监测与分离, 食品安全检测, 生物医药分离纯化, 化学传感

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摘要

本发明提供了一种新型磁力诱导青蒿素分子印迹复合膜的制备及用途，制备方法如下：步骤1、制备Fe3O4；步骤2、Fe3O4表面一步法制备薄层磁性青蒿素分子印迹聚合物；步骤3、制备磁场诱导青蒿素分子印迹复合膜。本发明利用磁场诱导的方法制备的分子印迹膜可以有效的克服传统共混印迹膜制备耗时耗长、识别位点易被包埋的缺点，通过一步法制备印迹聚合物、改变洗脱方式、借助磁场力增加有效识别位点数，进而提高分子印迹效率，具有合成简单高效，选择性效率高等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230331

✅ 授权

20201124

?? 实质审查的生效：

20200519

📄 公开

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