发明专利已授权

一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用

📄 申请号：CN202410908593.5 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2024-07-08

公开号

CN118851264B

公开日

2025-04-08

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_136

IPC 分类号

H01M4_136 , C01G39_06 , H01M4_36 , H01M4_58 , H01M4_587 , H01M10_054 , C01B32_05 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

复合材料复合材料插层材料过渡金属硫化物

应用场景

储能系统, 电池电极材料, 超级电容器, 电催化制氢, 固体润滑剂

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摘要

本发明涉及二次电池储能技术领域，尤其涉及一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用，所述方法包括，将钼酸盐、硫脲分散在去离子水中，加入盐酸，搅拌后进行第一次水热反应；将第一次水热反应得到样品与盐酸混合后，加入烷基胺化合物，进行第二次水热反应，得到MoS2/C前驱体；将所述MoS2/C前驱体进行烘干、烧结，得到MoS2/C复合材料。采用本发明制备方法制得的复合材料具有稳定、可靠的支撑结构，既防止二硫化钼结构劣变，又可显著提高电子的电导率。在离子和电子之间建立了双连续通道，极大程度上的解决了对高效钠离子存储的需求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于改性植物沥青的钛铁矿捕收剂制备方法

当前第 / 件

一种分离提纯光引发剂TPO的方法

同领域国内专利 · IPC: (H01M4_136)

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