发明专利已授权

一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法

📄 申请号：CN201811255509.5 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2018-10-26

公开号

CN109180221B

公开日

2021-06-11

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B41_87

IPC 分类号

C04B41_87

技术画像

所属领域

碳化硅薄膜碳化硅薄膜化学气相沉积半导体材料

应用场景

半导体器件, 功率电子器件, 高温电子器件, 光电设备, 新能源汽车

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摘要

本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层及其制备方法

当前第 / 件

一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C04B41_87)

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