碳化硅薄膜 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。

📄 2018112555095 📂 C04B41_87 👤 武汉工程大学 📅 2018-10-26

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一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法

2018112555095 · 武汉工程大学

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