发明专利已授权

一种半导体石墨坩埚测温设备及其测温方法

📄 申请号：CN202010669597.4 📄 发布日：2025/11/10

著录项目信息

申请日

2020-07-13

公开号

CN111982319A

公开日

2020-11-24

申请人

大同新成新材料股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01K1_14

IPC 分类号

G01K1_14

技术画像

所属领域

测温设备温度测量技术半导体制造设备石墨坩埚测温设备

应用场景

半导体制造, 晶体生长, 高温炉温度监控, 光伏产业

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摘要

本发明公开了一种半导体石墨坩埚测温设备及其测温方法，包括夹紧机构、保护机构、测温机构和底座，所述保护机构固定设置在所述底座内部，所述夹紧机构固定设置在所述底座上端，所述测温机构固定设置在所述夹紧机构下方；本发明还公开了一种半导体石墨坩埚测温设备的测温方法。本发明的有益效果是：本发明设计的下压杆在受到坩埚的挤压后，会向下运动带动移动杆运动，进一步可以带动气压杆移动，从而对气囊进行充气，从而可以对坩埚进行固定和保护，可以适应不同大小的坩埚，本发明设计的第四滑块与第五滑块在转动杆转动时会做相向运动，从而会带动转动圆盘转动，从而可以带动测温管对坩埚内部各个位置进行测温。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

半导体石墨圆晶用倒角加工设备及其倒角方法

当前第 / 件

便于半导体石墨制备的成型机及其制备方法

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