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| 专利/申请号： | CN202210078129.9 | 专利名称： | 一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法 |
| 申请日： | 2022-01-24 | 申请/专利权人 | 中国矿业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C25B1/04 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-04-29 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN114411168A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 2 | 所属领域： | 专利转让搜索 |
摘 要：一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法，属于纳米功能材料领域。步骤：1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌；2)以上述溶液为电解液，电沉积5～15min，可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜；3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中，加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀；4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上；5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1～2h；6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min，清洗、干燥，得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点：钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应，得到了更佳的光电化学制氢性能。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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