发明专利已授权

一种钴镧共掺杂可见光响应BiVOsub4sub光电极及其制备方法

📄 申请号：CN202210078129.9 📄 发布日：2026/06/29

著录项目信息

申请日

2022-01-24

公开号

CN114411168A

公开日

2022-04-29

申请人

中国矿业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B1_04

IPC 分类号

C25B1_04 , C25B1_55 , C25B11_031 , C25B11_049 ,

技术画像

所属领域

光电极材料光电极材料掺杂改性技术光电催化

应用场景

光解水制氢, 光电催化, 光化学能转换, 环境净化

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摘要

一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法，属于纳米功能材料领域。步骤：1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌；2)以上述溶液为电解液，电沉积5～15min，可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜；3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中，加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀；4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上；5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1～2h；6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min，清洗、干燥，得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点：钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应，得到了更佳的光电化学制氢性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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