本发明公开了一种2,6‑二氨基吡啶/银多孔光电极材料及其制备方法和应用;该光电极材料由含有硅纳米线的基底,沉积在硅纳米线上的银纳米颗粒,以及与银纳米颗粒形成配位的2,6‑二氨基吡啶组成。该光电极材料采用节能价格低廉的方法合成,对光电催化还原CO2具有超高的催化活性,且对还原产物CO的选择性极高,最优反应条件下,对CO的选择性高达84.56%,相较p‑Si/Ag对照样品提高了近24%。此外,本发明提供的光电极材料在光电催化还原二氧化碳制一氧化碳的应用中,极大地节省了还原CO2所需的能量,提高了CO2RR过程的活性和目标产物CO的选择性,有利于实现国家双碳目标,具有非常广阔的应用前景。
📄 202210656484X
📂 C25B1_23
👤 浙江工业大学
📅 2022-06-10
一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法,属于纳米功能材料领域。步骤:1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌;2)以上述溶液为电解液,电沉积5~15min,可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜;3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中,加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀;4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上;5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1~2h;6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min,清洗、干燥,得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点:钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应,得到了更佳的光电化学制氢性能。
📄 2022100781299
📂 C25B1_04
👤 中国矿业大学
📅 2022-01-24
本发明涉及光电化学技术领域,公开了一种铑掺杂钛酸锶反蛋白石结构光电极的制备方法,包括以下步骤:步骤一、在导电基底的表面通过垂直沉积自组装方法制备蛋白石结构的聚苯乙烯微球胶体晶体模板;步骤二、通过浸滞灌入二氧化钛前驱液的方法制备反蛋白石结构TiO2光电极;步骤三、水热法制备铑掺杂钛酸锶反蛋白石结构光电极。本发明通过胶体晶体自组装模板与浸滞提拉的方法制备了反蛋白石结构二氧化钛骨架,并在此基础上通过水热法制备了铑掺杂钛酸锶反蛋白石结构光电极。本发明制备出的铑掺杂钛酸锶反蛋白石结构光电极保证了其光电化学性能的同时,增强了对光的利用效率,可以作为光阴极电极材料使用。
📄 2023101574074
📂 C25B11_091
👤 淮阴工学院
📅 2023-02-23
本发明属于光电化学技术领域,提出一种三维导电骨架的制备及其在氧化铁光阳极中的应用。所述三维导电骨架,是通过物理沉积的方法在导电玻璃FTO表面上覆盖上两层由具有颗粒级配的聚苯乙烯球形成的薄膜,然后旋涂上导电基底溶液,再经过烧结的方法获得的。该三维导电骨架能够用于制备氧化铁光阳极,即将三维导电骨架作为基底附着上氧化铁半导体膜。所制备的三维导电骨架上原位生长的氧化铁半导体膜具有优异的光电响应,与在FTO上原位生长的氧化铁半导体膜相比,其开启电势负移0.23mV,光电流提升8倍,达到1.2mA/cm2(1.23V vs.RHE.)。同时,整个制备方法简单,不需要复杂的制备设备,便于工业化。
📄 2021111144618
📂 C25B11_04
👤 合肥名龙电子科技有限公司
📅 2021-09-23