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发明专利
已授权
一种具有中空结构的还原氧化石墨烯包裹CNTs/SnO2复合薄膜及其制备方法和应用
📄 申请号:CN202111064428.9
📄 发布日:2026/05/19
著录项目信息
申请日
2021-09-10
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01M4_02
IPC 分类号
H01M4_02
,
H01M4_36
,
H01M4_48
,
H01M4_583
,
H01M4_62
,
H01M10_054
,
B82Y30_00
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
氧化石墨烯
纳米材料
复合材料
薄膜材料
氧化石墨烯
应用场景
锂离子电池, 超级电容器, 气体传感器, 电化学储能, 催化材料
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摘要
本发明公开了一种具有中空结构的还原氧化石墨烯包裹CNTs/SnO2复合薄膜及其制备方法和应用,属于钠离子电池技术领域,空隙结构能有效缩短了电子/Na+扩散路径,加速SIB的反应动力学,并为Na+提供了丰富的活性位点。此外,rGO还可以有效地缓解SnO2的体积膨胀,并作为一种纽带为整个rGO@CNTs/SnO2@void复合薄膜提供电子传输的通道。得益于这种独特的结构优势,rGO@CNTs/SnO2@void复合薄膜作为钠离子电池的负极材料展现出了优异的电化学性能,即使在1A g‑1的高电流密度下,其循环寿命仍能达1000圈,表现出了超高的循环稳定性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230214
✅ 授权
20211231
?? 实质审查的生效 :
20211214
📄 公开
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